相變化記憶體 - 維基百科，自由的百科全書

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電腦記憶體類型（維基數據所列：Q125005976）
揮發性記憶體
RAM
DRAM（例如DDR SDRAM） SRAM
發展中
可控矽隨機存取記憶體（英語：T-RAM） Z-RAM
歷史上
威廉士管（1946－47年）延遲線記憶體（1947年）選數管（1953年）冷陰極計數管
非揮發性記憶體
ROM
Mask ROM（英語：Mask ROM） PROM EPROM EEPROM 快閃記憶體固態儲存
非揮發性隨機存取記憶體（英語：NVRAM）
RRAM
早期非揮發性隨機存取記憶體
nvSRAM（英語：nvSRAM） FeRAM MRAM PRAM
磁式
磁帶硬碟
光學式
光碟機
發展中
3D XPoint CBRAM SONOS 賽道記憶體 NRAM Millipede FJG RAM（英語：FJG RAM）
歷史上
紙張資料儲存（英語：Paper data storage）（1725年）磁鼓記憶體（1932年）磁芯記憶體（1949年）磁鍍線記憶體（1957年） Core rope memory（英語：Core rope memory）（1960年代）薄膜記憶體（英語：Thin-film memory）（1962年）磁扭線記憶體（~1968年）磁泡記憶體（~1970年）
閱論編

相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非揮發性記憶體裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（英語：Chalcogenide glass）（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃（英語：Chalcogenide glass）的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來儲存不同的數值。它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。