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李志堅」。
李志堅 |
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性別 | 男 |
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出生 | (1928-05-01)1928年5月1日 浙江寧波 |
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逝世 | 2011年5月2日(2011歲—05—02)(83歲) 北京 |
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國籍 | 中華人民共和國 |
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李志堅(1928年5月1日—2011年5月2日),男,浙江寧波人,中國電子學家,中國科學院院士,清華大學微電子學研究所原所長。[1][2]
1951年,畢業於浙江大學物理系,獲分配到上海同濟大學任教。1958年,獲蘇聯列寧格勒大學科學副博士學位。曾長期任清華大學微電子學研究所所長、教授。1991年,被選為中國科學院院士。
曾任清華大學信息科學與技術學院學術委員會委員,中國電子學會榮譽會員,國家科學技術名詞委員會委員,中國微納米技術學會名譽副理事長,《電子學報》、《半導體學報》和《傳感技術學報》編委。
曾擔任國際固體器件與集成電路技術(IC SICT93,95)、固體材料與器件(ssdm95,98-2004)、國際電子、電氣工程師學會第十區會議(TECON96)等諸多國際學術會議的大會主席、程序委員會委員或國際顧問委員會委員等。
1953年,開始半導體研究,曾成功提出薄膜光導體的晶粒電子勢壘理論,對中國早期半導體器件製造技術發展做出了重大貢獻。60年代初,研製出超純多晶矽合金矽電晶體、高反壓平面電晶體。對MOS結構和Si/SiO2界面物理有深入研究。1965年,開始集成電路的研究。80年代,主持研製成功2KEEPROM、16K位SRAM、16位微處理器等VLSI晶片。90年代,致力於半導體系統集成晶片技術的研究和開發,有多項成果。
在電子學領域持有多項美國專利。
- 在半導體結構和界面物理領域,曾獲中國國家教委科技進步獎。
- 「3微米VLSI成套工藝技術和集成電路研究」,獲1987年中國國家科技進步二等獎。
- 「1~1.5微米VLSI-CMOS工藝及1兆位漢字庫ROM」,獲1995年國家科技進步二等獎。
- 「超大規模集成電路(VLSI)快速熱處理技術和設備」,參與並獲1990年國家發明二等獎。
- 1997年度陳嘉庚信息科學獎。
- 2000年度「何梁何利」科技進步獎。
- ^ 張品興, 殷登祥, 陳有進等主編. 中华当代文化名人大辞典. 北京: 中國廣播電視出版社. 1992. ISBN 9787504315137.
- ^ 許力以, 周誼主編. 百科知识数据辞典. 青島: 青島出版社. 2008.
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技術科學部 | 1955年 | |
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1980年 | |
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1991年 | |
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1993年 | |
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1995年 | |
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1997年 | |
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1999年 | |
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2001年 | |
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2003年 | |
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信息技術科學部 | 2005年 | |
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2007年 | |
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2011年 | |
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2015年 | |
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註:姚期智於2004年被選為 中國科學院外籍院士,2015年放棄美國籍,加入中華人民共和國國籍,2017年轉為中國科學院院士。 | |
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