赤崎勇
赤崎勇 赤﨑 勇(あかさき いさむ) | |
---|---|
出生 | 大日本帝国鹿儿岛县川边郡知览村(现南九州市) | 1929年1月30日
逝世 | 2021年4月1日 日本爱知县名古屋市 | (92岁)
国籍 | 日本 |
母校 | 京都大学 名古屋大学 |
知名于 | 开发氮化镓结晶化技术,完成世界第一个高亮度的蓝色发光二极管 |
配偶 | 赤崎陵子 |
奖项 | C&C奖(1998) IEEE Jack A. Morton Award(1998) 朝日奖(2000) 文化功劳者(2004) 京都奖(2009) IEEE爱迪生奖章(2011) 文化勋章(2011) 日本学士院奖・恩赐奖(2014) 诺贝尔物理学奖(2014) 查尔斯·斯塔克·德雷珀奖(2015) |
科学生涯 | |
研究领域 | 物理学、工程学 |
机构 | 松下电器 名城大学 名古屋大学 |
博士生 | 天野浩 |
备注 | |
亲属: 赤崎正则(兄) |
日语写法 | |
---|---|
日语原文 | 赤﨑 勇 |
假名 | あかさき いさむ |
平文式罗马字 | Akasaki Isamu |
赤崎勇(日语:赤﨑 勇/あかさき いさむ Akasaki Isamu ?,1929年1月30日—2021年4月1日),日本化学工程学家,名古屋大学工学博士。曾任松下电器研究员、名城大学终身教授、名古屋大学特别教授及名誉教授。美国国家工程院外籍院士。IEEE Fellow。紫绶褒章、文化勲章、勋三等旭日中绶章表彰。文化功劳者。
赤崎教授于2014年凭借“发明高亮度蓝色发光二极管,带来了节能明亮的白色光源”与天野浩、中村修二共同获得诺贝尔物理学奖[1],他也是继罗伯特·密立根之后,史上第2位兼有诺贝尔奖暨IEEE爱迪生奖章荣誉的科学家。
早年生活与教育
[编辑]1929年1月30日,赤崎勇出生于日本鹿儿岛县,幼时曾有躲避美军战机的经历,终身反战。1952年京都大学理学部毕业,1964年获得工学博士(名古屋大学)学位。其后曾服务于神户工业(现电装天)、名古屋大学、松下电器等单位。
研究
[编辑]在1960年代末,他开始工作于氮化镓(GaN)基蓝光LED。一步一步,他改进的GaN晶体质量和器件结构[2],在松下研究所东京公司(MRIT)那里,他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。
1986年,赤崎勇以低温沉积(AlN)氮化铝缓冲层技术成功生产高品质的GaN晶体。1989年,他与门生天野浩完成p型GaN的结晶化,首次观测到p型材料的剧烈发光,并以GaN的pn构成完成了蓝色发光二极管。同一时期,赤崎的学生也包括日后的中国知名企业家唐骏[3]。
1990年,赤崎师徒完成室温下紫外线暴露GaN的诱导放射。基于上述的各阶段突破,1992年,他们发明了人类史上第一个高亮度蓝色发光二极体。1995年,进一步完成注入量子多重化电流的GaN/GalnN诱导放射。自此开始,赤崎勇就一直是热门的诺贝尔奖候选人之一[4][5]。在2009年至2014年的名古屋大学官方简介中,赤崎一直与另外4位名大的诺贝尔奖得主(野依、小林、益川、下村)并列。
名古屋大学赤崎纪念研究馆
[编辑]赤崎教授的发明产生了专利,专利被奖励特许权使用费,其中一部份用于建立2006年10月20日开设的“名古屋大学赤崎纪念研究馆”(Nagoya University Akasaki Institute)[6] 。研究馆建有一个展示蓝光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊,一个科研合作办公室,一个创新研究实验室,和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。
2014年诺贝尔奖
[编辑]赤崎勇与天野浩、中村修二于2014年10月7日获得诺贝尔物理学奖。翌日赤崎与江崎玲於奈(1973年诺贝尔物理学奖得主)进行电话会谈,他们讨论了彼此发明的社会影响力,也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[7]。
赤崎是首位九州出身的日本人诺贝尔奖得主[8],亦缔造若干国内纪录,包括首次师徒同时获奖(与天野浩);获奖年龄第二高(85岁,仅次于南部阳一郎的87岁);最高龄出席颁奖典礼。
获奖纪录
[编辑]- 1989年 日本结晶成长学会论文赏
- 1991年 中日文化奖[10]
- 1994年 光电子学会议特别奖
- 1994年 日本结晶成长学会创立20周年记念技术贡献奖
- 1995年 化合物半导体国际研讨会奖
- 1995年 Heinrich Welker Gold Medal
- 1996年 IEEE Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award
- 1998年 井上春成奖
- 1998年 C&C奖
- 1998年 Laudise Prize
- 1998年 应用物理学会会志奖
- 1998年 IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年 British Rank Prize
- 1999年 Solid State Science and Technology Award
- 2000年 朝日奖[11]
- 2000年 东丽科学技术奖
- 2002年 应用物理学会业绩奖
- 2002年 武田奖
- 2002年 藤原奖
- 2003年 日本学术会议会长赏
- 2003年 SSDM Award
- 2009年 京都奖(尖端技术部门)
- 2011年 IEEE爱迪生奖章[12]
- 2011年 科学技术振兴机构知识财产特别贡献奖
- 2014年 日本学士院奖・恩赐奖
- 2014年 诺贝尔物理学奖[13]
- 2014年 南九州市荣誉市民
- 2015年 查尔斯·斯塔克·德雷珀奖
- 2016年 UNESCO奖章
- 2021年 Queen Elizabeth Prize for Engineering
荣衔
[编辑]著作
[编辑]- 電気・電子材料(1985年9月、朝仓书店)
- III-V族化合物半導体(1994年5月、培风馆)
- 青色発光デバイスの魅力―広汎な応用分野を開く(1997年4月、工业调查会)
- III族窒化物半導体(1999年12月、培风馆)
有关纪念
[编辑]2018年4月,名古屋广小路商店街设置3座手形像,以纪念下村脩、赤崎勇、天野浩3人的功绩。[14]
参见
[编辑]参考资料
[编辑]- ^ The Nobel Prize in Physics 2014 (PDF). Nobel Prize. 2014-10-07 [2014-10-07]. (原始内容存档 (PDF)于2014-10-07).
- ^ Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
- ^ 唐骏的微博_騰訊微博. [2014-12-08]. (原始内容存档于2020-02-19).
- ^ 【2014年ノーベル賞週間】憲法9条保持の日本国民との予想も 村上春樹氏に注目 : 47トピックス - 47NEWS(よんななニュース)
- ^ ino/news/20141006/sot14100605010001-n1.html 6日からノーベル赏ウイーク!文学赏は村上氏1番人気 - 芸能社会 - SANSPO.COM(サンスポ)[永久失效链接]
- ^ 存档副本 (PDF). [2012-04-13]. (原始内容 (PDF)存档于2012-10-17).
- ^ 【ノーベル物理学賞】赤崎氏と江崎玲於奈氏対談 「皆さん、耳を傾けるようになります」(1/2ページ) - 産経ニュース. [2015-04-23]. (原始内容存档于2021-01-07).
- ^ 九州出身者で初 赤崎勇氏にノーベル賞 中村、天野両氏とともに物理学賞 - 西日本新聞
- ^ 存档副本. [2015-09-06]. (原始内容存档于2015-09-06).
- ^ 中日文化賞:第41回-第50回受賞者. 中日新闻. [2009-10-26]. (原始内容存档于2010-03-12).
- ^ 朝日賞:過去の受賞者. 朝日新闻. [2009-11-04]. (原始内容存档于2012-07-20).
- ^ 赤﨑勇教授に日本人2人目のエジソン赏 (页面存档备份,存于互联网档案馆)名城大学プレスリリース
赤崎勇氏にエジソン赏=日本2人目、青色LEDで贡献 (页面存档备份,存于互联网档案馆)时事通信 - ^ 存档副本. [2014-10-07]. (原始内容存档于2017-10-19).
- ^ ふれて目指そうノーベル賞学者 名古屋に手形像完成:朝日新聞デジタル. [2018-05-02]. (原始内容存档于2018-05-02).