多通道记忆体技术
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多通道记忆体技术（英语：Multi-channel memory technology）是一种可以提升记忆体资料传送效能的技术。在数位电子产品以及电脑硬体领域，它的主要原理，是在DRAM和记忆体控制器之间，增加更多的并列通讯通道，以增加资料传送的频宽。理论上每增加一条通道，资料传送效能相较于单通道而言会增加一倍。目前常见的多通道技术多为双通道的设定，理论上它们都拥有两倍于单通道的资料传送频宽。这种技术最早可以追溯至1960年代的IBM System/360 91型电子计算机以及资料控制公司的CDC 6600型电子计算机。[1]
现有的多通道记忆体技术
[编辑]单通道
[编辑]双通道
[编辑]现在，几乎所有的电脑都支援双通道，DDR双通道记忆体位宽为128-bit，即是两组64-bit。
三通道
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三通道技术需要使用Intel Core i7极致版处理器，或Intel Core X系列处理器。
当内存工作于三通道模式时，由于交叉存储，内存潜伏时间将进一步减小，数据以交替的方式在三个内存模组中传送。
三通道技术需要三条（或者三的倍数）内存，并且每个内存模组的容量和速度和容量均相同，还需要以三通道的方式将内存正确插入主板。如果只插了两个内存模组，只能工作在双通道模式。[2]
四通道
[编辑]在消费级市场领域，2006年，英特尔发布的用于支援Intel Xeon处理器的晶片组支援四通道记忆体技术，使用LGA 771处理器插座。[3]2010年3月，英特尔的竞争对手超微半导体也发布了面向伺服器市场的，支援四通道的Socket G34处理器插座以及核心代号为‘Magny-Cours’的AMD Opteron 6100系列处理器。[4]2011年，英特尔发布支援第二代Core i7极致版的X79（LGA 2011）晶片组，支援四通道记忆体。ARM在2015年推出Cortex-A72处理器内核时，也公布了新型汇流排以及快取一致性互连设计“CoreLink CCI-500”，该互连架构令ARM可以支援到最高4通道128位元位宽的记忆体。[5]同年第四季度高通发表了支援4通道64位元位宽的骁龙820 SoC，三星则发表了同样记忆体支援规格的Exynos 8890 SoC。
更高规格
[编辑]八通道技术
[编辑]在微型计算机的历史上，也有过比双通道拥有更多通道数量的设计，比如1995年AlphaStation 600晶片组可以支援八通道，但是由于当时印刷电路板的设计限制实际上只支援到四通道。[6] 2014年，英特尔的Haswell-EX也支援八通道DDR4 SDRAM。[7][8][9][10][11]
技术限制和相容性
[编辑]以双通道记忆体技术为例，开启双通道模式必须要主机板的北桥晶片或是处理器支援；对于记忆体的要求，在早期DDR SDRAM时代，双通道技术对记忆体的要求十分严苛：两条记忆体必须是两条规格（容量、时脉、延迟、颗粒、品牌、周期）相同。后来的DDR2 SDRAM时代，限制放宽，像是NVIDIA以往出品的nForce 2、AMD 10h处理器家族系列，由于采用了不对称双通道（即采用了两个统一定址空间的记忆体控制器），支援使用两条不同规格之记忆体运作，规定比较不严苛。
记忆体安装的方式也是关键，并非有支援双通道的主机板上安装两条记忆体就能运作，还需要正确的安装；像是nForce 2的设计有四条记忆体插槽，依序为1、2、3、4，而必须要安装1、3或是2、4才能使用双通道，若仅安装1、2就会开启单通道模式。各款晶片组设定方式不一，各家主机板也可能不同，因此必须要参考使用说明书以正确方式安装。如果安装成功并正常运作，开机时BIOS便会显示“Dual Channel Mode Enable”或类似讯息，表示正确启用双通道。
参见
[编辑]参考资料
[编辑]- ^ Bruce Jacob; Spencer Ng; David Wang. Memory systems: cache, DRAM, disk. Morgan Kaufmann. 2007: 318. ISBN 978-0-12-379751-3.
- ^ Desktop Boards - Triple Memory Modules. [2013-11-23]. （原始内容存档于2009-03-08）.
- ^ 存档副本. [2013-03-24]. （原始内容存档于2013-01-19）.
- ^ AMD Opteron 6000 Series Platform Quick Reference Guide (PDF). [2012-10-15]. （原始内容 (PDF)存档于2012-05-12）.
- ^ ARM全新互连架构：16核心、四通道可以有了！. mydrivers.com. [2016-08-08]. （原始内容存档于2020-11-06）.
- ^ 存档副本. [2013-03-24]. （原始内容存档于2021-02-25）.
- ^ Intel Haswell-EP Brings DDR4, to Eat up to 160W, 190 Amps （页面存档备份，存于互联网档案馆） - VR-Zone
- ^ AMD压力暂缓 英特尔Haswell矛头直指NVIDIA （页面存档备份，存于互联网档案馆） - 赛迪网
- ^ Intel Haswell-EP Platform Detailed （页面存档备份，存于互联网档案馆） - VR-Zone
- ^ DDR4 Haswell-EP：160W十六核角逐NVIDIA （页面存档备份，存于互联网档案馆） - 驱动之家
- ^ Haswell (slide). Intel. [2012-02-15]. （原始内容 (JPEG)存档于2012-04-06）.
外部链接
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