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Talk:金屬氧化物半導體場效電晶體

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（重定向自Talk:MOSFET）
Former good article金屬氧化物半導體場效電晶體曾屬優良條目，但已撤銷資格。下方條目里程碑的链接中可了解撤銷資格的詳細原因及改善建議。條目照建議改善而重新符合標準後可再次提名評選。
新條目推薦 條目里程碑
日期事項結果
2006年11月12日優良條目評選入選
2010年9月7日優良條目重審維持
2012年9月12日優良條目重審撤銷
新條目推薦 本條目曾於2006年11月2日登上維基百科首頁的「你知道嗎？」欄位。
新條目推薦的題目為：
    當前狀態：已撤銷的優良條目
    基础条目 金屬氧化物半導體場效電晶體属于维基百科科技主题的基礎條目第五級。请勇于更新页面以及改進條目。
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    條目評選

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    新條目推薦

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    ～移動自Wikipedia:新条目推荐/候选～（最後修訂）
    ～移動完畢～ --Shinjiman ⇔ ♨ 14:50 2006年11月2日 (UTC)

    優良條目評選

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    以下内容由Wikipedia:優良條目候選移至

    優良條目重審

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    金屬氧化物半導體場效電晶體（编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志），分类：没有找到，提名人：思源如宁

    優良條目重審（第二次）

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    金屬氧化物半導體場效電晶體（编辑 | 讨论 | 历史 | 链接 | 监视 | 日志），分类：电脑資訊 - 电子学，提名人：CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)[回复]

    投票期：2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
    撤销：6支持，0反对。--茶壺（留言） 2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)[回复]

    三个名词修订

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    对于大陆的简体学术名词来说
    场效晶体管应该是 -- 场效应晶体管 (FET)
    闸极应该是 -- 栅极 (Gate)
    空乏层 其中空乏 应该是 -- 耗尽层（depletion layer）
    另外多晶硅空乏不知道指什么，我从未学到过类似多晶硅耗尽的概念，怀疑是衬底耗尽概念的笔误。
    因为不敢乱改优良条目，所以把意见放在这里。
    --绵羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)

    我在創建這個條目時，使用的譯名皆為台灣慣用的譯法 (事實上在台灣，無論是學校或是產業界，都很少用中文稱呼這些東西，而慣以英文原名稱之，簡單又不會引起爭議)。若是大陸有其他用法，我認為可以並存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)

    是否应在在文中使用简称

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    金属氧化物半导体场效晶体管这个名词实在有点长了，如果每次都写这么长的名字人要疯了的。我觉得本文标题可以保持不变，文章内容应该可以使用“MOSFET”或者“MOS管”两者之一（大陆课本上都是这么用的），可以减轻阅读负担。大家觉得呢？尤其是使用繁体的朋友们。--Alexander Misel（留言） 2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)[回复]

    外部链接已修改

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    各位维基人：

    我刚刚修改了金屬氧化物半導體場效電晶體中的1个外部链接，请大家仔细检查我的编辑。如果您有疑问，或者需要让机器人忽略某个链接甚至整个页面，请访问这个简单的FAQ获取更多信息。我进行了以下修改：

    有关机器人修正错误的详情请参阅FAQ。

    祝编安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2017年7月24日 (一) 09:06 (UTC)[回复]

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